FETは日本語で電界効果型トランジスタと呼ばれる、トランジスタの一種です。
構造により、ジャンクション型とＭＯＳ型に別れ、さらに、トランジスタのＰＮＰとＮＰＮに相当するＰチャンネルとＮチャンネルに分かれます。
ＦＥＴの詳しい構造は文献を参照してもらうとして、Nチャンネルジャンクション型の簡単な模式と回路図用記号は図の様になっています。
N型半導体の両端に電極を取り付け、それぞれドレインとソースと命名します。このままでドレインに＋ソースに−を加えるとある程度の電流が流れます。さらにN型半導体にP型の接合を作り、ゲートと命名します。このゲートにソースから見て−になる電圧を加えていくと、徐々にドレインからゲートに流れる電流が減少し、ある電圧で電流が流れなくなります。ゲートはPN接合の逆方向に電圧を加えるため、もれ電流以外の電流は流れません。この様にして、ゲート電圧のみで電流を制御できる素子がFETです。通常のトランジスタ（FETと区別するため、バイポーラトランジスと呼ぶ）は必ずベース電流を流さなければなりませんが、FETでは理論的には電圧のみで電流は必要ありません。言い換えればゲートの入力は非常に高抵抗であると言えます。
ジャンクション型はゲートに電圧を加えない場合は電流が流れ、制御電圧で電流を制御していました。一方MOS型の多くはゲートに電圧を加えない場合は電流が流れず、ゲート電圧で電流が流れ始めるタイプがほとんどです。
ＭＯＳ型では、ゲートを酸化金属で絶縁しているため、ジャンクション型に比べてさらに高入力抵抗となります。
メモリの一種であるＥＥ−ＰＲＯＭはこのゲートを外部に接続せずに絶縁体の中に埋もれさせて記録素子としています。ここに蓄積された電圧（電荷と呼ぶ）は１０年以上保持されると言われています。
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